ADG1221
量产低电容、低电荷注入、±15 V/+12 ViCMOS® 双通道单刀单掷开关
- 产品模型
- 2
产品详情
- 电荷注入:小于0.5 pC(整个信号范围内)
- 关断电容:2 pF
- 关断泄漏:2 pA
- 电源电压范围:33 V
- 导通电阻:120 Ω
- 额定电源电压:±15 V、+12 V
- 无需VL 电源
- 3 V逻辑兼容输入
- 轨到轨工作
- 10引脚MSOP封装
ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,内置四个采用iCMOS (工业CMOS)工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS 器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
这些开关具有超低电容和极低的电荷注入特性,因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。图2显示,在器件的整个信号范围内电荷注入极小。
ADG1221/ADG1222/ADG1223均内置两个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1221与ADG1222的不同是数字控制逻辑相反。ADG1221开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1,而ADG1222则要求逻辑0。ADG1223有一个开关的数字控制逻辑与ADG1221相似,但另一个开关的控制逻辑则相反。ADG1223为先开后合式开关,适合多路复用器应用。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。
应用
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
应用笔记 2
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADG1221BRMZ | 10-Lead MSOP | ||
ADG1221BRMZ-REEL7 | 10-Lead MSOP |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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1月 26, 2016 - 15_0176 Assembly Transfer of Select 8/10L MSOP Products to Amkor Philippines |
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ADG1221BRMZ | 量产 | |
ADG1221BRMZ-REEL7 | 量产 | |
5月 15, 2012 - 10_0006 Halogen Free Material Change for mini SOIC Products |
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ADG1221BRMZ | 量产 | |
ADG1221BRMZ-REEL7 | 量产 | |
11月 16, 2009 - 06_0157 Qualification of the 8" H6 Thin Film BiPolar Wafer Fab Process at Analog Devices, Limerick, Ireland |
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ADG1221BRMZ | 量产 | |
ADG1221BRMZ-REEL7 | 量产 | |
1月 27, 2009 - 09_0013 Changes to Idd Specifications on ADG12xx, ADG14xx and ADG13xx datasheets |
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ADG1221BRMZ | 量产 | |
ADG1221BRMZ-REEL7 | 量产 |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice 1
LTspice中提供以下器件型号:
- ADG1221
SPICE 模型 1
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