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ADG1201
量产低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、单刀单掷开关,采用SOT-23封装
- 产品模型
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产品详情
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ADG1201/ADG1202是单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,内置一个采用iCMOS®(工业CMOS)工艺设计的单刀单掷(SPST)开关。iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同iCMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
这些开关具有超低电容和电荷注入特性,因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽,使这些器件适合视频信号切换应用。
iCMOS结构可确保功耗极低,因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。ADG1201/ADG1202内置一个单刀单掷(SPST)开关。图1显示,当逻辑输入为1时,ADG1201开关闭合,ADG1202开关则断开。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。
产品聚焦
- 超低电容
- 电荷注入小于1 pC
- 超低泄漏
- 3 V逻辑兼容数字输入:VIH = 2.0 V,VIL = 0.8 V
- 无需VL逻辑电源
- SOT-23封装
应用
数据手册,Rev. 0,2/08
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
应用笔记 2
信息 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADG1201BRJZ-R2 | 6-Lead SOT-23 | ||
ADG1201BRJZ-REEL7 | 6-Lead SOT-23 |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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8月 16, 2017 - 16_0291 CANCELLED: Addition of Amkor Philippines as Alternate Assembly Site for 5L, 6L and 8L SOT23 Chip-On-Lead Packages |
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ADG1201BRJZ-R2 | ||
ADG1201BRJZ-REEL7 | 量产 | |
11月 16, 2009 - 06_0157 Qualification of the 8" H6 Thin Film BiPolar Wafer Fab Process at Analog Devices, Limerick, Ireland |
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ADG1201BRJZ-R2 | ||
ADG1201BRJZ-REEL7 | 量产 | |
2月 4, 2010 - 10_0009 Halogen Free Material Change for SOT_23 Products |
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ADG1201BRJZ-REEL7 | 量产 |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice 1
LTspice中提供以下器件型号:
- ADG1201
SPICE 模型 1
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