ADH8412S

推荐新设计使用

ADH8412S: Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz

产品模型
4
产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

Viewing:

产品详情

  • Low noise figure: 1.4 dB typical at 0.4 GHz to 3 GHz
  • Single positive supply (self biased)
  • High gain: ≤15.5 dB typical
  • High OIP3: ≤33 dBm typical
  • RoHS compliant, 2 mm × 2 mm, 6-lead LFCSP

COMMERCIAL SPACE FEATURES

  • Supports aerospace applications
  • Wafer diffusion lot traceability
  • Radiation monitor
  • Total ionizing dose (TID)
  • Outgassing characterization
ADH8412S
ADH8412S: Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz
ADH8412S Functional Block Diagram ADH8412S Pin Configuration
添加至 myAnalog

将产品添加到myAnalog 的现有项目或新项目中(接收通知)。

创建新项目
提问

参考资料

了解更多
添加至 myAnalog

将产品添加到myAnalog 的现有项目或新项目中(接收通知)。

创建新项目

评估套件

eval board
Eval-HMC8412

HMC8412 评估板

特性和优点

  • 4 层、Rogers 4350B 和 Isola 370HR 评估板。
  • 端接型 3.5 mm RF 连接器
  • 直通校准路径(未填充)

产品详情

EV1HMC8412LP2F 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成,形成 62 mil 的标称厚度。EV1HMC8412LP2F 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 3.5 mm 母头同轴连接器填充,其各自的射频迹线都有 50 Ω 特性阻抗。EV1HMC8412LP2F 填充了适合在 HMC8412 的 −40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的迹线损耗,J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能,请参阅表 1 和图 3。通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND 和 VDD,访问 EV1HMC8412LP2F 的接地路径和 VDD 引脚。随附用于 VBIAS 的补充测试点,可轻松访问 RBIAS 引脚(测试点组件见图 5)。

EV1HMC8412LP2F 上的 RF 迹线为 50 Ω 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面,并特别关注接地焊盘正下方的区域,以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

EV1HMC8412LP2F 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能可减少电容器数量,但因系统而异。在减少电容器数量时,建议先移除或合并离 HMC8412 较远的较大的电容器。 

需要的设备

  • RF 信号发生器
  • RF 频谱分析仪
  • RF 网络分析仪
  • 5 V、100 mA 电源

Eval-HMC8412
HMC8412 评估板
EV1HMC8412LP2F

最新评论

需要发起讨论吗? 没有关于 adh8412s的相关讨论?是否需要发起讨论?

在EngineerZone®上发起讨论

近期浏览