硅 (SOI) 开关

ADRF5024 是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。

该开关的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，提供优于 1.7 dB 的插入损耗和 35 dB 隔离性能。ADRF5024 的通过路径和热切换均具有 27 dBm 的射频(RF)输入功率处理能力。

ADRF5024 在 +3.3 V 正电源电压和 -3.3 V 负电源电压下分别消耗 14 µA 和 120 µA 的低电流。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS) / 低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5024 与 ADRF5025（低频截止版本）引脚兼容，工作频率范围为 9 kHz 至 44 GHz。

ADRF5024 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于超宽带产品，RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗特性。有关更多详情，请参考“电气规格”部分、“典型性能参数”部分和“应用信息”部分。

ADRF5024 采用符合 RoHS 标准的 2.25 mm × 2.25 mm、12 引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。

ADRF5024-EP支持防务和航空航天应用（AQEC）

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

ADRF5025是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。

该开关的工作频率范围为9 kHz至44 GHz，提供优于1.6 dB的插入损耗和35 dB隔离性能。ADRF5025的通过路径和热切换均具有27 dBm的射频(RF)输入功率处理能力。

ADRF5025在+3.3 V正电源电压和-3.3 V负电源电压下分别消耗14 μA和120 μA的低电流。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5025与ADRF5024（低频截止版本）引脚兼容，工作频率范围为100 MHz至44 GHz。

ADRF5025 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。对于超宽带产品，RF传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗特性。有关更多详情，请参考“电气规格”部分、“典型性能参数”部分和“应用信息”部分。

ADRF5025采用符合RoHS标准的2.25 mm × 2.25 mm、12引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

ADRF5046 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SP4T) 开关。 

ADRF5046 的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，具有低于 3.0 dB 的插入损耗和高于 31 dB 隔离性能。无论是直通路径还是热切换，该套件都具有 27 dBm 的射频 (RF) 输入功率处理能力。 

ADRF5046 在 +3.3 V 正电源上消耗 3 μA 的低电流，在 −3.3 V 负电源上消耗 −110 μA 电流。  

该套件提供互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。 

ADRF5046 采用符合 RoHS 指令的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。 

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施 – 毫米波 5G
• 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)

ADRF5047是一款反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用硅工艺制造。

ADRF5047的工作频率范围为9 kHz至44 GHz，具有低于2.7 dB的插入损耗以及高于31 dB的隔离性能。该器件的通过路径和热切换均具有26.5 dBm的射频(RF)输入功率处理能力。

ADRF5047在+3.3 V正电源电压和−3.3 V负电源电压下分别消耗3 μA和−110 μA的低电流。该器件提供互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5047与ADRF5046（快速切换版本）引脚兼容，工作频率范围为100 MHz至44 GHz。

ADRF5047采用符合RoHS标准的20引脚、3 mm × 3 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。

应用

• 工业扫描仪
• 测试仪器仪表
• 蜂窝基础设施——毫米波5G
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

ADRF5026 是一款利用硅工艺制造的非反射单刀双掷 (SPDT) 射频 (RF) 开关。

ADRF5026 的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，具有优于 3.8 dB 的插入损耗和 45 dB 隔离。ADRF5026 采用全关闭控制，两个射频端口均处于隔离状态。ADRF5026 采用非反射设计，两个射频端口均在内部端接到 50 Ω。

ADRF5026 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 的双电源电压。此器件使用互补金属氧化物半导体/低电压晶体管-晶体管逻辑 (CMOS/LVTTL) 逻辑兼容控制。

ADRF5026 的引脚与 ADRF5027 低频截止版本兼容，可在 9 kHz 至 44 GHz 的频度范围内工作。

ADRF5026 射频端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。对于超宽带产品，射频发射线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回路损耗特性。有关在 28 GHz 至 43 GHz 频率范围内实现 2.4 dB 平坦插入损耗响应的匹配电路的示例，请参阅“窄带阻抗匹配”部分。

ADRF5026 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G 毫米波
• 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)

ADRF5027是一款单刀双掷(SPDT)硅开关，工作频率范围为9 kHz至44 GHz。

该开关在40 GHz时具有2.2 dB的低插入损耗和TBD dB的高隔离度。该开关还具有全部关断功能，其中RF端口处于隔离状态。ADRF5027采用非反射式设计；两个RF端口均内部匹配至50 Ω.

ADRF5027在+3.3V正电源电压和-3.3V负电源电压下分别消耗2uA和-100uA的低电流。该开关还提供CMOS/LVTTL逻辑兼容控制。

ADRF5027与ADRF5026（快速切换版本）引脚兼容，工作频率范围为100 MHz至44 GHz。

对于超宽带表贴技术(SMT)，RF传输线路上的阻抗匹配在高频下可以改善插入损耗和回波损耗性能。

ADRF5027采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装。

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施 - 毫米波5G
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

ADRF5020是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装，在100 MHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 光纤和宽带电信

ADRF5021是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装，在9 kHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。

该宽带开关采用+3.3 V和−2.5 V双电源电压供电，提供CMOS/LVTTL逻辑兼容控制。

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 宽带电信系统

ADRF5044 是一款利用硅工艺制造的通用单极四投 (SP4T) 开关。 它采用 24 端子岸面栅格阵列 (LGA) 封装，在 100 MHz 至 30 GHz 频率范围内具有隔离程度高、插入损耗低等特点。

该宽带开关需要双电源电压（+3.3 V 和 −3.3 V），并提供互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 逻辑兼容控制。

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
• 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 宽带电信系统

ADRF5045 是一款利用硅工艺制造的通用单刀四掷 (SP4T) 开关。它采用 24 端子岸面栅格阵列 (LGA) 封装，在 9 kHz 至 30 GHz 频率范围内具有隔离程度高、插入损耗低等特点。

该宽带开关需要双电源电压（+3.3 V 和 −3.3 V），并提供互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 逻辑兼容控制。

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
• 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 宽带电信系统