ADuM4121-1
量产集成内部米勒箝位的高压、隔离式栅极驱动器,2 A输出
- 产品模型
- 8
产品详情
- 2 A峰值电流输出(<2 Ω RDSON)
- 2.5 V至6.5 V输入
- 4.5 V至35 V输出
- 欠压闭锁(UVLO):2.5 V DD1
- VDD2有多个UVLO选项
- A级:VDD2的4.4 V(典型值)UVLO
- B级:VDD2的7.3 V(典型值)UVLO
- C级:VDD2的11.3 V(典型值)UVLO
- 精确定时特性
- 隔离器和驱动器传输延迟:53 ns(最大值)
- 安全和法规认证(申请中)
- UL认证(UL 1577)
- 1分钟5 kV rms,SOIC长封装
- CSA元件验收通知5A
- VDE合格证书(申请中)
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
- VIORM = 849 V 峰值
- 8引脚宽体SOIC封装
- CMOS输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度:>150 kV/µs
- 工作结温最高可达:125°C
- 默认低电平输出
- 内置米勒箝位
ADuM4121-1-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
- 下载 数据手册 (pdf)
- 军用温度范围:-55°C至+125°C
- 欠压闭锁(UVLO):7.5 V VDD2
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/19601-01XE DSCC 图纸号
ADuM4121/ADuM4121-1为2 A隔离式、单通道驱动器,采用ADI公司的iCoupler®技术提供精密隔离。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔离,采用8引脚宽体SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。
ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V输入电压工作,可与较低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4121/ADuM4121-1的输入与输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4121/ADuM4121-1集成内部米勒箝位,在2 V时可在栅极驱动输出的下降沿上激活,提供具有较低阻抗路径的驱动栅极,以减少米勒电容感应导通的可能性。
有很多选项可用于热关断使能或禁用。因此,ADuM4121/ADuM4121-1可在各种开关电压范围内对绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制。
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 工业逆变器
- 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件
参考资料
数据手册 3
用户手册 1
视频 2
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADUM4121-1ARIZ | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4121-1ARIZ-RL | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4121-1BRIZ | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4121-1BRIZ-RL | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4121-1CRIZ | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4121-1CRIZ-RL | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4121-1TRIZ-EP | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4121-1TRIZ-EPR | 8-Lead SOIC (Increased Creepage) |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice
LTspice中提供以下器件型号:
- ADUM4121A
- ADUM4121B
- ADUM4121C
IBIS 模型 1
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