MAT12
製造中マッチング・トランジスタ(NPN)、デュアル、オーディオ向け
- 製品モデル
- 1
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$21.12
製品の詳細
- 低電圧ノイズ:1nV/√Hz(max)@100Hz
- 優れた電流ゲイン・マッチング:0.5%(typ)
- 低オフセット電圧(VOS):200µV(max)
- 優れたオフセット電圧ドリフト:0.03µV/℃(typ)
- 大きなゲイン帯域幅積:200MHz
MAT12は、デュアル、NPNのマッチングの取れたトランジスタ・ペアで、超低ノイズのオーデオ・システム向けに適合するよう、特別に設計されています。極めて低い入力ベース拡散抵抗(RBB=28Ω(typ))と高い電流ゲイン(hFE ≧600@IC=1mA)を備えたMAT12は、並外れた信号 – ノイズ比を達成することが出来ます。この高い電流ゲインは、一般的に入手可能なモノリシック・アンプを採用しているシステムと比較すると、並外れた性能結果をもたらします。
約0.5%と優れたマッチングが取れた電流ゲイン(ΔhFE)と10µ(typ)以下の低いV
マッチング・パラメータの安定性は、ベース・エミッタ接合間の保護ダイオードによって保証されています。これらのダイオードは、ベース・エミッタ接合の逆バイアスによる、ベータとマッチング特性による性能劣化を防ぎます。
MAT12は、また、高精度で信頼性のおける電流バイアッシングとミラー回路としても理想的な選択肢といえます。さらに、カレント・ミラーの精度はトランジスタ・ペア間のVBEのミスマッチによってエクスポーネンシャルに劣化しますが、MAT12の低いVOSは、ほとんどの回路アプリケーションでは、オフセット・トリミングの必要がありません。
MAT12は従来のMAT02の優れた代替品で、この性能と特性は-40℃~+85℃の拡張温度範囲にわたって保証されています。
ドキュメント
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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MAT12AHZ | 6-Lead TO-78 |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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11 9, 2011 - 11_0050 Transfer of ADI Hermetics Assembly location from Paranaque, Manila to General Trias, Cavite Philippines |
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MAT12AHZ | ||
11 9, 2011 - 11_0182 Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines |
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MAT12AHZ | ||
6 1, 2011 - 11_0088 Top and Bottom Mark Standardization for Certain LCC (Leadless Chip Carrier) and Metal Can Packages |
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MAT12AHZ |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。