
Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC313
新規設計に推奨InGaP HBT ゲイン・ブロック・アンプ、SMT、DC ~ 6 GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- P1dB 出力電力: +14 dBm
- 出力 IP3: +27 dBm
- ゲイン: 17 dB
- 単電源: +5 V
- 高信頼性 GaAs HBT プロセス
- 超小型パッケージ: SOT26
HMC313(E) は、GaAs InGaP ベースのヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した MMIC アンプで、Vcc の単電源で動作します。この表面実装 SOT26 パッケージのアンプは、広帯域ゲイン段として使用することができます。または最適化された狭帯域アプリケーションのための外部マッチングとともに使用することができます。Vcc を +5 V でバイアスするとき、HMC313(E) は 17 dB のゲインと +15 dBm の飽和電力を提供しますが、50 mA の電流しか必要としません。アプリケーション・ノートのセクションに記載されているアプリケーション・ノート「HMC313 のバイアスとマッチング技術」に狭帯域動作の推奨事項が記載されています。
アプリケーション
- 2.2 GHz ~ 2.7 GHz MMDS
- 3.5 GHz ワイヤレス・ローカル・ループ
- 5 GHz ~ 6 GHz UNII および HiperLAN
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 1
品質関連資料 4
テープ&リール仕様 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC313 | 6-Lead SOT-23 | ||
HMC313E | 6-Lead SOT-23 | ||
HMC313ETR | 6-Lead SOT-23 | ||
HMC313TR | 6-Lead SOT-23 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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