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HMC8191
推荐新设计使用6 GHz至26.5 GHz、宽带I/Q混频器
- 产品模型
- 5
产品详情
- 无源宽带I/Q混频器
- RF和LO范围:6 GHz至26.5 GHz
- 宽IF带宽:DC至5 GHz
- 单端RF、LO和IF
- 转换损耗:9 dB(典型值)
- 镜像抑制:25 dBc(典型值)
- 单边带噪声指数:9 dB(典型值)
- 输入IP3(下变频器):24 dBm(典型值)
- 输入P1dB压缩点(下变频器):15 dBm(典型值)
- 输入IP2:55 dBm(典型值)
- LO至RF隔离:40 dB(典型值)
- LO至IF隔离:40 dB(典型值)
- RF至IF隔离:20 dB(典型值)
- 幅度平衡:±0.5 dB(典型值)
- 相位平衡(下变频器):±5°(典型值)
- RF回波损耗:15 dB(典型值)
- LO回波损耗:15 dB(典型值)
- IF回波损耗:15 dB(典型值)
- 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装
HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽,非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。
HMC8191的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力,因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能,并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。
作为一款无源混频器,HMC8191无需任何直流电源。相比有源混频器,它提供较低的噪声指数,从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。
HMC8191采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。HMC8191提供紧凑型、4 mm × 4 mm、24引脚无铅芯片载体(LCC)封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8191评估板还可通过ADI网站获得。
应用
- 测试与测量仪器仪表
- 军事、航空航天和防务应用
- 微波点对点基站
参考资料
数据手册 2
技术文章 1
视频 2
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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HMC8191 | CHIPS OR DIE | ||
HMC8191-SX | CHIPS OR DIE | ||
HMC8191LC4 | 24-Lead LCC (4 x 4mm) | ||
HMC8191LC4TR | 24-Lead LCC (4 x 4mm) | ||
HMC8191LC4TR-R5 | 24-Lead LCC (4 x 4mm) |
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